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三星预计2025-2026年量产第十代V-NAND闪存,直接跳到430层

来源:IT之家    发布时间:2023-01-09 15:11   作者:苏婉蓉   阅读量:7257   

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三星预计2025-2026年量产第十代V-NAND闪存,直接跳到430层

据韩国媒体Elec报道,三星将加快3D NAND的堆叠进程,正在讨论将预计2025—2026年量产的第十代V—NAND的堆叠层数跃升至430层。

三星此前宣布,将在2030年前开发1000层V—NAND闪存与此同时,下一代V—NAND路线图的轮廓也逐渐浮出水面

据报道,三星计划在2024年量产的第九代V—NAND将在280层3D NAND的范围内对于预定2025—2026年量产的第十代V—NAND,三星正在讨论跳过300层,直接上430层

分析称,具体工作正在按照2030年开发1000层V—NAND的目标一步步推进人们还观察到,三星总裁李在镕强调的超级差距战略的实施速度正在加快

此外,据业内人士透露,三星已经拟定了九代,十代等V—NAND单元数量的大致路线图,正在多角度开发产品。

本站了解到,V—NAND是三星在2013年发起的一种闪存技术,通过在垂直堆叠的平面层的三维空间中钻孔来连接每一层。

2013年出现的第一代V—NAND有24层此后又陆续推出了第二代32层,第三代48层,第四代64层,第五代92层,第六代128层,第七代176层每一代都经历了大约一年到一年零六个月的量产

三星宣布2022年11月量产第八代V—NAND,堆叠层数为236层据报道,第八代V—NAND可以提供1Tb的解决方案三星电子没有透露IC的尺寸和实际密度,但他们称之为业界最高的位密度

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